MOS 소자 형성 및 C-V
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작성일 19-06-18 11:11
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2.實驗방법
(1)cleaning
1)Piranha cleaning
Si wafer를 H₂SO₄: H₂O₂=4 : 1 로 만든 용액에 10min 담가두어 wafer 위의 유기 물을 제거한다.
2) HF cleaning ㅡwafer표면에 형성되는 산화막을 제거하기위해 사용
: HF : D.I wafer = 1 : 10 용액에 wafer를 담궈 native oxide를 제거한다.
MOS 소자 형성 및 C-V
MOS 소자 형성 및 C-V
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순서
MOS 소자 형성 및 C-V 특성(特性) 평가
1.實驗목적
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하여 공정과정들을 이해하고,
그래프를 해석하며, SiO2의 두께에 따라 유전상수의 change(변화)를 알아본다.
(chemical oxide도 제거)
(2)Oxidation
실리콘 표면 위에 산화막 층을 형성하기 위한 방법으로 실리콘 표면을 산화시키는 공정이다.
용도:Gate capacitor, MOSFET에서의 유전체
산화막 형성방법:Thermal Oxidation
Thermal Oxidation
그림에서처럼 silicon substrate의 일부가 산화되어 원래의 부피보다 커져서 만들어지게 된다 Si기판 위아래로 Sio2가 형성 된다
Si(solid) + O2 →SiO2(solid)
Si(solid) +2H2O →SiO2(solid) + 2H2
그림에서처럼 chamber에 wafer를 넣고 가열하면서 산소나 수증기를 불어 넣어준다.
산화공정에는 두 가지가 있따
하나는 산화에 산소 Gas만을 쓰는 건식 (dry oxidation)
Si (solid) + O2 -` SiO2 (solid)
다른 하나는 수증기를 쓰는 습식 (wet oxidation)
Si (solid) + H2O -` SiO2 (solid) + 2H2
건식 산화막은 습식 산화막 보다 같은 두께를 만드는 데 더 오래 걸린다…(省略)
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설명
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실험결과/화학
다.
